-
1 Bipolar-CMOS-Gatter
прил.1) электр. вентильная матрица на биполярных транзисторах и КМОП-транзисторах, матричная БИС на биполярных транзисторах и КМОП-транзисторах2) микроэл. вентильная Би-КМОП-матрица, вентильная матрица на биполярных и КМОП-транзисторах, матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах -
2 bipolar technology
1) Техника: биполярная технология, технология биполярных приборов (изготовления), технология изготовления биполярных приборов, технология изготовления микросхем на биполярных транзисторах2) Электроника: технология изготовления схем на биполярных транзисторах3) Вычислительная техника: технология изготовления биполярных схем4) Макаров: технология ИС на биполярных транзисторах -
3 BIFET-Technik
сущ.1) электр. технология ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом2) микроэл. Би-ПТ-технология, технология (изготовления) ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом -
4 BINMOS
= bi-NMOS, = bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на-биполярных транзисторах и-МОП-транзисторах с-каналом n-типа -
5 BINMOS
сокр. от bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BINMOS
-
6 bipolar IC circuit
LSI circuit — БИС; большая интегральная схема
VLSI circuit — СБИС; сверхбольшая интегральная схема
transistor circuit — транзисторная схема; схема на транзисторах
bipolar circuit — биполярная схема; схема на биполярных транзисторах
complementary circuit — комплементарная схема; схема на комплементарных транзисторах
English-Russian dictionary of Information technology > bipolar IC circuit
-
7 bipolar-insulated gate fet ic
English-Russian big polytechnic dictionary > bipolar-insulated gate fet ic
-
8 bipolar IC
1) Техника: ИС на биполярных транзисторах, биплярная ИС, интегральная схема на биполярных транзисторах2) Макаров: биполярная ИС -
9 bipolar chip
1) Техника: ИС на биполярных транзисторах, биполярная ИС, интегральная схема на биполярных транзисторах2) Микроэлектроника: биполярный кристалл -
10 bipolar-semiconductor integrated circuit
1) Техника: интегральная схема на биполярных транзисторах2) Электроника: ИС на биполярных транзисторахУниверсальный англо-русский словарь > bipolar-semiconductor integrated circuit
-
11 bipolare Speicherzelle
прил.микроэл. ЗЯ на биполярных транзисторах, запоминающая ячейка на биполярных транзисторахУниверсальный немецко-русский словарь > bipolare Speicherzelle
-
12 BROM
= bipolar read-only memoryпостоянное ЗУ на-биполярных транзисторах, ПЗУ на-биполярных транзисторах -
13 bipolar read-only memory
постоянное ЗУ на биполярных транзисторах, ПЗУ на биполярных транзисторахThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > bipolar read-only memory
-
14 BROM
сокр. от bipolar read-only memoryпостоянное ЗУ на биполярных транзисторах, ПЗУ на биполярных транзисторахThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BROM
-
15 IGBT rectifier
выпрямитель на биполярных транзисторах с изолированным затвором
выпрямитель на БТИЗ
-
[Интент]Тематики
Синонимы
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > IGBT rectifier
-
16 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
17 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
18 mémoire bipolaire
сущ.1) радио. биполярное запоминающее устройство, запоминающее устройство на биполярных транзисторах2) выч. ЗУ на биполярных ИС, биполярное ЗУФранцузско-русский универсальный словарь > mémoire bipolaire
-
19 bipolar design
разработка ИС на биполярных транзисторах, разработка биполярных ИС -
20 bipolar design
разработка ИС на биполярных транзисторах, разработка биполярных ИСThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > bipolar design
См. также в других словарях:
микросхема на биполярных транзисторах — dvipolis integrinis grandynas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit vok. bipolare integrierte Schaltung, f; bipolarer integrierter Schaltkreis, m rus. биполярная микросхема, f; микросхема на биполярных… … Automatikos terminų žodynas
выпрямитель на биполярных транзисторах с изолированным затвором — выпрямитель на БТИЗ [Интент] Тематики ЦОДы (центры обработки данных) Синонимы выпрямитель на БТИЗ EN IGBT rectifier … Справочник технического переводчика
прибор на биполярных и МОП-транзисторах — įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
микросхема на биполярных и полевых транзисторах — integrinis grandynas su dvipoliais ir lauko tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar FET integrated circuit vok. integrierter Bipolar und Feldeffekttransistor Schaltkreis, m rus. микросхема на биполярных и… … Radioelektronikos terminų žodynas
микросхема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами — integrinis grandynas su dvipoliais ir lauko tranzistoriais su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar insulated gate FET integrated circuit vok. integrierter Bipolar und Feldeffkettransistor Schaltkreis mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
УСИЛИТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ — устройства, в к рых осуществляется повышение мощности электрич. колебаний с частотами 0/3хl012 Гц за счёт преобразования энергии стороннего источника питания (накачки) в энергию усиливаемых колебаний. Физ. явления, используемые для преобразования … Физическая энциклопедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
Усилитель электрических колебаний — устройство, предназначенное для усиления электрических (электромагнитных) колебаний в системах многоканальной связи, радиоприёмной, радиопередающей, измерительной и др. аппаратуре. Такое усиление представляет собой процесс управления… … Большая советская энциклопедия
Операционный усилитель — Содержание 1 История 2 Обозначения 3 … Википедия